| Classe do processo |
1,4 nanômetros (nm) |
| Transistores |
RibbonFET 2 |
| Arquitetura de transistores |
Gate-All-Around (GAA) de segunda geração |
| Controle eletrostático |
Mais rigoroso sobre transistores cada vez mais minúsculos |
| Resultado do controle eletrostático |
Melhor corrente de acionamento e vazamento mínimo de energia |
| Entrega de energia |
PowerDirect |
| Posição da fiação elétrica |
Inteiramente na parte de trás da pastilha de silício |
| Roteamento frontal |
Liberado para sinais de dados |
| Efeitos da mudança de roteamento |
Menor resistência elétrica e maior densidade |
Fonte
